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　　本研究采用原位掺杂和热处理的简便策略，成功合成了富含SiOC键的 Si-MLG 材料。XPS 和 FT-IR 光谱证实了 SiOC 键的形成。SiOC 键主要是由 SiCl4（光伏废料）与富含羟基的 CND 之间的原位掺杂反应形成的，而 MLG 结构则是通过对 CND 进行热处理形成的。富含SiOC键的Si-MLG在LIB中表现出优异的阳极性能，在100 mA-g-1条件下充放电循环500次后，比放电容量保持在653 mAh-g-1。与原始 MLG 材料相比，Si-MLG 材料的 SiOC 键提供了更多的锂活性位点，从而提高了比电容。SiOC 键的引入有效限制了充放电循环过程中硅的体积膨胀，从而显著提高了阳极材料的循环稳定性。这就解决了硅基阳极常见的因体积膨胀而导致容量急剧下降的问题。本文介绍了一种制备高电容、低体积膨胀的掺硅阳极材料的简单方法。